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1、大面積污閃事故的主要特點(diǎn)和原因

　　自20世紀(jì)90年代以來(lái)，東北、西北、華北、華中、華東和華南都相繼發(fā)生過(guò)大面積污閃事故，其主要特點(diǎn)和原因可歸納為部分線路絕緣配置偏低、天氣惡劣、大環(huán)境污染降低了外絕緣強(qiáng)度、清掃質(zhì)量不高。不同時(shí)間和地點(diǎn)發(fā)生污閃的設(shè)備也有很大差別。如1990年華北大面積污閃事故，輸電線路主要發(fā)生在懸垂串上。變電設(shè)備故障多發(fā)生在母線、隔離開關(guān)、阻波器等支柱絕緣子上，或未涂RTV和未安裝增爬裙或未及時(shí)進(jìn)行水沖洗的設(shè)備上。2001年大面積污閃事故中遼沈地區(qū)主要集中在I-Ⅱ級(jí)污區(qū)；華北、河南主要分布在Ⅱ-Ⅲ級(jí)污區(qū)；京津唐、河北、河南和遼寧電網(wǎng)凡全線使用復(fù)合絕緣子的線路幾乎都沒(méi)有發(fā)生污閃。線路污閃與1990年華北大面積污閃比較耐張串較多。變電設(shè)備的污閃主要發(fā)生在支柱絕緣子上(占閃絡(luò)總數(shù)的78.0％)特別是重污區(qū)雙聯(lián)支柱絕緣子。

　　
2、問(wèn)題的提出

　　2．1清掃的局限性

　　隨著城鄉(xiāng)電網(wǎng)建設(shè)和改造、三峽工程、西電東送以及全國(guó)跨地域電網(wǎng)的建設(shè)，必須正視這樣的事實(shí)，對(duì)目前運(yùn)行線路每年進(jìn)行清掃越來(lái)越困難，對(duì)于穿越山區(qū)線路，特別是500kV線路更是如此。問(wèn)題是現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)GB／T16434-1996、JB／T5895-1991和GB5582-1993對(duì)污穢等級(jí)的劃分和外絕緣選擇皆是建立在清掃的基礎(chǔ)上。雖然清掃是絕緣子串恢復(fù)絕緣強(qiáng)度最有效的防污閃措施，但是客觀事實(shí)要求不應(yīng)再將污絕緣設(shè)計(jì)建立在清掃的基礎(chǔ)上，尤其是新建或待建的工程。

　　2.2原污區(qū)分布圖存在的問(wèn)題

　　現(xiàn)行污區(qū)分布圖中劃分污級(jí)的鹽密是指由普通懸式絕緣子X(jué)P-70(X-4.5)及XP-160型所組成的懸垂串上的測(cè)得值。我國(guó)現(xiàn)運(yùn)行線路已使用了玻璃絕緣子約4500萬(wàn)只(其中，南京國(guó)產(chǎn)線生產(chǎn)了900萬(wàn)片)、復(fù)合絕緣子約400萬(wàn)支。不同材質(zhì)和型式的絕緣子自然積污特性與XP-70和XP-160不同，串型結(jié)構(gòu)不同其積污特性也不同，且無(wú)系統(tǒng)的研究，這顯然會(huì)對(duì)污級(jí)的確定產(chǎn)生較大偏差。另外，所測(cè)的鹽密值大多是運(yùn)行1年的最大鹽密。以上問(wèn)題可能會(huì)導(dǎo)致實(shí)際絕緣配置往往不到位。在今后的防污管理工作中，必須從根本上調(diào)整鹽密測(cè)量和污穢等級(jí)的劃分方法，重新制定污區(qū)分布圖的繪制原則。

　　2．3污閃的主要原因

　　現(xiàn)今使用的絕緣子污耐壓基礎(chǔ)數(shù)據(jù)是從短串的污穢試驗(yàn)得到的，由于人工污穢電壓閃絡(luò)梯度與絕緣子串長(zhǎng)呈不嚴(yán)格的線性關(guān)系。因此，以污耐壓法進(jìn)行污穢設(shè)計(jì)時(shí)，由短串結(jié)果推算至長(zhǎng)串會(huì)帶來(lái)很大偏差。長(zhǎng)串試驗(yàn)結(jié)果表明，單片污耐壓值低于由短串所確定值的40％。不同型式瓷、玻璃絕緣子的耐污穢特性并不隨爬電距離的增加而成線性改善。對(duì)傘型不佳的絕緣子，雖爬電距離增加較大，但污耐壓并未明顯提高，有的反而降低。雖然爬電距離增加較大,但局部爬電距離在污穢和受潮2個(gè)條件作用下易被空氣間隙放電短路，這充分說(shuō)明爬電距離的有效性對(duì)污耐壓的影響很大。GB／T16434--1996附錄D和JB／T5895-1991第6條皆明確指出在利用爬電比距法來(lái)進(jìn)行污穢絕緣設(shè)計(jì)時(shí)一定要考慮爬電距離有效系數(shù)。國(guó)內(nèi)至今尚未系統(tǒng)研究爬電距離的有效性。以上這些原因無(wú)疑會(huì)導(dǎo)致污穢絕緣配置偏低或裕度偏小。

　　
3、解決污閃問(wèn)題的思路

　　解決污閃問(wèn)題主要是重新認(rèn)識(shí)污穢絕緣設(shè)計(jì)。

　　3．1按爬電比距確定絕緣子串片數(shù)所存在的問(wèn)題.

　　目前，各國(guó)均按污穢水平劃分污級(jí)，并規(guī)定各污級(jí)對(duì)應(yīng)的爬電比距，僅前蘇聯(lián)和我國(guó)按爬電比距的方法確定絕緣子串片數(shù)。前蘇聯(lián)與我國(guó)的設(shè)計(jì)又不同，不僅系統(tǒng)地考慮了爬電比距有效系數(shù)(一般取1.1-1.2)，還規(guī)定了不同污穢等級(jí)下50％人工污穢耐受電壓值，即220kV及以下電壓等級(jí)為對(duì)應(yīng)額定電壓值，330kV和500kV分別規(guī)定為315kV和410kV，僅按GB／T16434-1996來(lái)進(jìn)行外絕緣設(shè)計(jì)，與前蘇聯(lián)相比無(wú)疑偏低。

　   3.2按污耐壓確定絕緣子串片數(shù)所存在的問(wèn)題

　　美國(guó)、日本和我國(guó)武漢高壓研究所等主要是以污耐壓進(jìn)行外絕緣設(shè)計(jì)，污耐壓皆以長(zhǎng)串真型試驗(yàn)來(lái)確定。不同國(guó)家污穢絕緣設(shè)計(jì)原則相同，僅是設(shè)計(jì)參數(shù)取值不同，見(jiàn)表1。

 

　　由文獻(xiàn)[1]知，絕緣子串片數(shù)N為污穢設(shè)計(jì)目標(biāo)電壓值UΦmax與單片絕緣子最大耐受電壓Umax的比值，而單片絕緣子最大耐受電壓Umax是σ、k的函數(shù)，σ、k越大，Umax越小，N越小，反之N越大。σ、k取定值后，按系統(tǒng)重要性考慮的修正系數(shù)k1，越大，N越大，即絕緣子串的污穢裕度越大。σ值一般由50％人工污穢耐受電壓試驗(yàn)確定。由表1可知，不同國(guó)家污穢絕緣設(shè)計(jì)參數(shù)取值不同。σ值不同主要是由不同污穢試驗(yàn)室等價(jià)性造成，而k值主要由線路設(shè)計(jì)閃絡(luò)概率戶值確定。若單串閃絡(luò)概率戶取值偏高，無(wú)疑k偏低，Umax偏高；若k1取值偏低，則UΦmax偏低，若p和k1值同時(shí)偏低，則N偏低。而我國(guó)p、k1取值相對(duì)前蘇聯(lián)、美國(guó)和日本而言皆偏低，可見(jiàn)N值較小，絕緣子串的絕緣配置偏低，或者說(shuō)裕度偏小。隨著大環(huán)境的污染，若污穢等級(jí)從I級(jí)(0.025mg／平方厘米)發(fā)展到Ⅲ級(jí)(0.1mg／平方厘米)，不同型式絕緣子的Umax值下降幅度可達(dá)32.2％-44.0％。XP-160型絕緣子長(zhǎng)串真型試驗(yàn)結(jié)果表明，I級(jí)(0.03mg／平方厘米)Umax值(11.81kV)相對(duì)于Ⅲ級(jí)(0.1mg／平方厘米)Umax值(8.36kV)下降幅度為29.2％，無(wú)疑絕緣子串片數(shù)相應(yīng)會(huì)增加31.1％-22.7％或34.2％，受桿塔高度限制，必然無(wú)法調(diào)爬，應(yīng)在設(shè)計(jì)基建時(shí)將裕度留給運(yùn)行部門。